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[发明专利]脉冲等离子体发动机和方法-CN201480080556.4有效
发明人：海因里克.弗兰兹.克劳斯特曼 -专利权人：海因里克.弗兰兹.克劳斯特曼
申请日： 2014-06-25 - 公布日： 2020-02-14 - 主分类号： B01J19/14 文献下载
摘要：脉冲等离子体发动机和方法，其中，将不可燃气体引入爆燃室中，该气体在爆燃室中电离从而形成等离子体，对等离子体施加电脉冲以加热等离子体，关断脉冲以在等离子体中产生爆炸压力脉冲，等离子体被磁场约束在爆燃室中，该磁场将压力脉冲导向被压力脉冲驱动的输出件。
脉冲等离子体发动机方法

[发明专利]一种等离子体产生方法和处理方法-CN202310037306.3在审
发明人：张鹤;王亨;张良俊;韩方虎;杨柳 -专利权人：江苏微导纳米科技股份有限公司
申请日： 2023-01-10 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H05H1/24 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体产生方法和处理方法，等离子体产生方法包括：采用等离子体电源给处理腔内部的等离子体产生部件输出脉冲信号，以在所述处理腔内产生等离子体；其中，脉冲信号对应的脉冲宽度为0.5ms－1ms，脉冲间隔为4ms－7ms。处理方法包括：采用等离子体产生方法得到的等离子体在所述处理腔内进行等离子体处理。采用这种等离子体产生方法能有效的提高处理速率。
一种等离子体产生方法处理

[实用新型]一种脉冲等离子体脱硫脱硝的系统-CN201720767706.X有效
发明人：冯玉;陈文臣;魏书杰 -专利权人：山东菲达生态环境科技有限公司
申请日： 2017-06-28 - 公布日： 2018-01-02 - 主分类号： B01D53/32 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种脉冲等离子体脱硫脱硝的系统，按烟气流向依次包括除尘器、脱硫塔、第一脉冲放电等离子体反应器和第二脉冲放电等离子体反应器；脉冲放电等离子体反应器内设有金属板，金属板之间设有金属棒，金属棒上设有放电针，第一脉冲放电等离子体反应器种的若干金属棒连接高频直流电源，第二脉冲放电等离子体反应器种的若干金属棒连接高压脉冲电源；脉冲放电等离子体反应器内的底部均设有水管，水管上均设有竖直向上的喷头；氨气源中的氨气分别输送至第一脉冲放电等离子体反应器和第二脉冲放电等离子体反应器内，水泵将水箱中的水输送至第一脉冲放电等离子体反应器和第二脉冲放电等离子体反应器内的水管。
一种脉冲等离子体脱硫系统

[发明专利]主动等离子体喷射装置及高超声速飞行器主动隐身方法-CN202111506622.8有效
发明人：张佳;张鹏飞;刘鑫;罗成;白博文;刘东林;李小平;刘彦明 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-12-10 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： H05H1/26 文献下载
摘要：本发明属于脉冲放电等离子体应用技术领域，公开了一种主动等离子体喷射装置及高超声速飞行器主动隐身方法；利用脉冲合成电源，产生高电压脉冲和大电流脉冲，驱动间隙放电，产生等离子体喷射；喷射等离子体进入等离子体鞘套，对等离子体鞘套进行调控；采用重复频率脉冲合成电源，产生重复频率脉冲放电，实现重复频率脉冲等离子体喷射，持续不断的对等离子体鞘套进行调控，实现高超声速飞行器的隐身。本发明通过产生强度、参数、时间可调的等离子体喷射，对等离子体鞘套进行调控，改变等离子体鞘套的电子密度的大小和分布，从而使高超声速飞行器产生目标探测异常，具有灵活性高、可控性强、成本低等特点。
主动等离子体喷射装置高超声速飞行器隐身方法

[发明专利]一种等离子体产生方法及装置和半导体处理设备-CN201710100093.9有效
发明人：成晓阳;韦刚;卫晶;柏锦枝;杨京 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2017-02-23 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： H05H1/24 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体产生方法及装置和半导体处理设备。该等离子体产生方法包括：上射频源输出主脉冲信号，用于激发反应腔室内的工艺气体形成等离子体，在主脉冲信号的关闭阶段，上射频源输出一个或多个辅助脉冲信号，辅助脉冲信号能维持反应腔室内的等离子体在主脉冲信号的关闭阶段处于起辉状态该等离子体产生方法通过辅助脉冲信号维持反应腔室内的等离子体在主脉冲信号的关闭阶段处于起辉状态，能够防止反应腔室内因为加载的主脉冲功率不足所导致的在主脉冲信号关闭阶段的等离子体灭辉，从而实现反应腔室内等离子体的稳定产生及工艺窗口的扩大，使等离子体工艺能够稳定进行。
一种等离子体产生方法装置半导体处理设备

[发明专利]等离子体辅助薄膜沉积系统与方法-CN200710181613.X有效
发明人：杜陈忠;黄振荣;梁沐旺;张志振;李升亮;吴庆辉;罗展兴 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2007-10-19 - 公布日： 2009-04-22 - 主分类号： C23C16/515 文献下载
摘要：一种等离子体辅助薄膜沉积系统与方法，该系统主要由一等离子体薄膜沉积装置以及一等离子体工艺监控装置构成，该等离子体薄膜沉积装置可供输入脉冲电源与工艺反应气体，由脉冲电源与工艺反应气体作用产生等离子体放电解离工艺反应气体成活性物种，以进行薄膜沉积工艺；该等离子体工艺监控装置包括一等离子体成分光学放射光谱仪以及一脉冲等离子体调变程序装置，由该等离子体成分光学放射光谱仪侦测等离子体成分中活性物种的光谱强度值，再经由脉冲等离子体调变程序装置计算活性物种间的光谱强度比值，据以调变适当的脉冲电源等离子体作用时间及功率，可在微晶硅沉积的范围内获得高沉积速率，并实时掌控最佳薄膜沉积质量。
等离子体辅助薄膜沉积系统方法

[发明专利]脉冲激光等离子体电混合微推进装置及方法-CN201010249177.7有效
发明人：蔡建;张兴华 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2010-08-09 - 公布日： 2012-03-14 - 主分类号： F03H1/00 文献下载
摘要：本发明公开了脉冲激光等离子体电混合微推进装置，包括：脉冲激光烧蚀装置、推进剂供给装置及等离子体加速装置；所述脉冲激光烧蚀装置照射所述推进剂供给装置提供的推进剂，产生高速等离子体；所述等离子体加速装置将所述高速等离子体再次进行加速本发明还提供脉冲激光等离子体电混合微推进方法，包括：通过高频脉冲激光烧蚀推进剂，产生高温、高速等离子体；及通过电场或磁场将高温、高速等离子体进行加速。通过本发明可为微小卫星提供高比冲和高推功比的推力。
脉冲激光等离子体混合推进装置方法

[发明专利]控制在连续波和脉冲等离子体之间转换的方法和装置-CN201710333403.1有效
发明人：赖灿锋;孟亮 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2017-05-12 - 公布日： 2020-07-31 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明涉及控制在连续波和脉冲等离子体之间转换的方法和装置。提供了用于在等离子体处理室中从第一等离子体条件平缓转换到第二等离子体条件的方法和装置。用于等离子体处理的装置可以配备有耦合到阻抗匹配网络的RF电源，以平缓地从连续波(CW)等离子体切换到脉冲等离子体(反向地或交替地)而不使等离子体猝灭。或者，等离子体处理室可以被配备在第一占空比的脉冲等离子体平缓地切换到第二占空比的脉冲模式而不使等离子体猝灭。这种转换可以通过使输送到等离子体处理室的RF电源的RF功率斜坡式变化、使占空比斜坡式变化和/或使脉冲频率斜坡式变化，使得阻抗可以在转换期间通过阻抗匹配网络平缓改变和匹配。
控制连续脉冲等离子体之间转换方法装置

[发明专利]用于蚀刻半导体结构的具有脉冲反应气体补充的脉冲等离子体系统-CN200880008116.2无效
发明人：金泰元;李庆泰;亚历山大·帕特森;瓦伦丁·N·托多罗夫;沙尚克·C·德斯穆克 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2008-02-21 - 公布日： 2010-01-27 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明描述一种用于蚀刻半导体结构的具有脉冲反应气体补充的脉冲等离子体系统。在一个实施例中，利用脉冲等离子体处理而移除一部分的样品。脉冲等离子体处理包括多个工作周期，其中各个工作周期代表等离子体的开启状态及关闭状态的组合。等离子体由反应气体产生，且其中反应气体在等离子体的关闭状态下补充，但在开启状态下不补充。在另一个实施例中，通过应用连续等离子体处理以移除样品的第一部分，接着连续等离子体处理停止，并通过应用具有脉冲反应气体补充的脉冲等离子体处理以移除样品的第二部分。
用于蚀刻半导体结构具有脉冲反应气体补充等离子体系统

[实用新型]一种能量可调的原位离子化装置-CN202122576272.4有效
发明人：郭寅龙;包茗脉;祝子朦;朱苏珍;柏家辉;张立;张菁 -专利权人：中国科学院上海有机化学研究所
申请日： 2021-10-26 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种能量可调的原位离子化装置，包括质谱进样通道、样品引入装置和脉冲等离子体发生装置，脉冲等离子体发生装置用于产生作为离子源的脉冲等离子体，脉冲等离子体发生装置产生的脉冲等离子体位于质谱进样通道的端口前方，样品引入装置的出口端或负载样品端位于脉冲等离子体发生装置产生的脉冲等离子体中或四周。本实用新型通过使用脉冲等离子体作为离子源，不仅可实现一种软硬可调的离子化方法，能实现对同分异构体的鉴别分析；而且可有效避免样品的氧化、降解、聚合等副反应；并且，可测试的样品范围广泛，形态不限，对挥发性小分子有着较好的离子化效率
一种能量可调原位离子化装置

[发明专利]介质阻挡放电等离子体放大反应器脉冲供电方法-CN201010555622.2无效
发明人：李杰;兰永斌;唐首锋;鲁娜;吴彦 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2010-11-22 - 公布日： 2011-03-23 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种介质阻挡放电等离子体放大反应器脉冲供电方法，属于环境电工技术领域。其特征是脉冲电源给介质阻挡放电等离子体放大反应器供电，脉冲电源的脉冲形成电容与介质阻挡放电等离子体放大反应器静态电容比是0.48～10。脉冲电源给介质阻挡放电等离子体放大反应器供电，脉冲电源的脉冲形成电容与介质阻挡放电等离子体放大反应器静态电容匹配比是1～4。本发明是为脉冲电源与介质阻挡放电等离子体放大反应器的匹配技术提供方法，优化电源与反应器的能量利用关系，达到电源的高效利用和介质阻挡放电等离子体放大反应器放电特性的优化。本发明为介质阻挡放电等离子体反应器放大应用提供参考。
介质阻挡放电等离子体放大反应器脉冲供电方法

[发明专利]高频电源装置以及等离子体点火方法-CN201480056402.1有效
发明人：让原逸男;相川谕;大间亮介 -专利权人：株式会社京三制作所
申请日： 2014-03-12 - 公布日： 2017-09-15 - 主分类号： H01T15/00 文献下载
摘要：高频电源装置具备供给使等离子体点火的脉冲电力的等离子体点火工序；供给用于维持所产生的等离子体的驱动电力的驱动电力供给工序。在等离子体点火工序中，由促使点火的主脉冲和在主脉冲之前的阶段施加的比主脉冲低的电力的预脉冲构成通过点火脉冲输出动作施加的点火脉冲，保护高频电源不受反射波电力的影响并且进行等离子体的切实的点火。
高频电源装置以及等离子体点火方法

[发明专利]一种啁啾脉冲压缩方法及装置-CN200610076255.1无效
发明人：武慧春;盛政明;张杰 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2006-04-21 - 公布日： 2007-10-24 - 主分类号： G02F1/39 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用等离子体的啁啾脉冲压缩方法及装置。该方法包括：1)提供一段等离子体；2)提供第一啁啾脉冲入射到所述等离子体；3)提供第二无啁啾脉冲入射到所述等离子体；4)将待压缩的啁啾激光脉冲沿着与所述第一啁啾脉冲相同的方向入射到所述等离子体。该装置包括：一激光器，发出激光啁啾脉冲；一分光器，将所述激光啁啾脉冲分成两束，其中一束经过一分束延时装置分成第一啁啾脉冲和第三啁啾脉冲，另一束经过一脉冲压缩器后形成第二无啁啾脉冲；所述第一啁啾脉冲和第三啁啾脉冲入射到由一等离子体生成器产生的等离子体，所述第二无啁啾脉冲沿反向入射到所述等离子体。本发明具有脉冲压缩效率高、光强损伤阈值高的优点。
一种啁啾脉冲压缩方法装置

[发明专利]脉冲射频等离子体的阻抗匹配方法和装置-CN201510929450.3有效
发明人：叶如彬 -专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
申请日： 2015-12-14 - 公布日： 2018-10-16 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种脉冲射频等离子体的阻抗匹配方法和装置。该方法和装置中，等离子体阻抗匹配过程不局限于一个脉冲周期内，不论是高射频功率阶段等离子体阻抗匹配过程还是低射频功率阶段的等离子体阻抗匹配过程均可以在不同脉冲周期内进行，因此，本发明提供的方法不受脉冲周期的限制，即使针对高脉冲频率的脉冲射频等离子体也可以分别搜寻到分别与高、低射频功率阶段的等离子体相匹配的射频频率。
脉冲射频等离子体阻抗匹配方法装置

[发明专利]大面积直流脉冲等离子体基低能离子注入装置-CN200710101587.5有效
发明人：雷明凯;郭甲;高峰;袁力江;张仲麟 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2007-04-30 - 公布日： 2007-10-03 - 主分类号： C23C14/48 文献下载
摘要：材料表面工程领域中，大面积直流脉冲等离子体基低能离子注入装置，包括金属真空室[5]，低能离子注入电源[14]和真空系统，特征：取消由外界输运等离子体的独立等离子体源，在真空室内安置一金属网罩[6]，等离子体源电源[8]向网罩施加直流脉冲负偏压，在炉体[2]内壁和网罩之间形成等离子体，或者增加提供放电辅助作用的热阴极灯丝[9]降低放电电压，将直流脉冲等离子体源和低能离子注入装置组合在真空室内，在网罩与样品台[11]上分别施加的直流脉冲负偏压交替发生，保证了直流脉冲等离子体的产生和低能离子注入交替不间断的进行。优点：成本低；能实现大面积的均匀等离子体基低能离子注入。
大面积直流脉冲等离子体低能离子注入装置

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